auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1137+ | 0.13 EUR |
| 1142+ | 0.12 EUR |
| 1403+ | 0.097 EUR |
| 2000+ | 0.087 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SA1298-Y,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - 2SA1298-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 800 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SA1298-Y,LF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1298-Y,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1298-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 800 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
2SA1298-Y,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1298-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 800 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |