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2SA1298-Y,LF

2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19261&prodName=2SA1298
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
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Technische Details 2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19261&prodName=2SA1298 Description: TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
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2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Toshiba 1AD2DCE210C4BC7E7FF3065801F3F3A88B859496F9C3505406FCAA411A287D00.pdf Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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2SA1298-Y,LF 2SA1298-Y,LF Toshiba docget.pdf Trans GP BJT PNP 25V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
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Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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Trans GP BJT PNP 25V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
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