2SA1419S-TD-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SA1419S-TD-E onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote 2SA1419S-TD-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SA1419S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
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2SA1419S-TD-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V |
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2SA1419S-TD-E | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89 Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT89 Type of transistor: PNP Mounting: SMD Collector current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 160V Frequency: 120MHz Current gain: 140...280 |
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2SA1419S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Verlustleistung: 1.5 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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2SA1419S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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2SA1419S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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| 2SA1419S-TD-E |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
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| 2SA1419S-TD-E |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
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| 2SA1419S-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
Current gain: 140...280
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| 2SA1419S-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Verlustleistung: 1.5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Verlustleistung: 1.5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| 2SA1419S-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| 2SA1419S-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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