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2SA1419T-TD-H ON Semiconductor


EN2007-D-1803736.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
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Technische Details 2SA1419T-TD-H ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 160V 1.5A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1419T-TD-H ON Semiconductor 223en2007-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1419T-TD-H 223en2007-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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