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2SA1576AT106R

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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1576AT106R 2SA1576AT106R Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.093 EUR
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2SA1576AT106R 2SA1576AT106R Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 71335 Stücke:
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2SA1576AT106R 2SA1576AT106R Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R
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2SA1576AT106R 2SA1576AT106R Rohm Semiconductor 2sa1576u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.15A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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2SA1576A-T106R
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2SA1576AT106R ROHM 2sa1576u3t106r-e.pdf 10+ROHS SOT-323
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2SA1576A T106R ROHM SOT323
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2SA1576AT106R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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2SA1576AT106R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 71335 Stücke:
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2SA1576AT106R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 71335 Stücke:
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2SA1576AT106R
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 0.15A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
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Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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2SA1576A-T106R
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10+ROHS SOT-323
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2SA1576A T106R
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SOT323
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Gehäuse: TSMT5
Transitfrequenz fT: 320 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 30 В
Kollektorstrom Ic, A: 1 A
Montage: SMD
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4,7 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4R7-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 77127
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4,7 Ohm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-4R7-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 4,7 Ohm
Toleranz: ±1% F
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 9700 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 8500 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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