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2SA1576U3T106Q

2SA1576U3T106Q Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details 2SA1576U3T106Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 0.15A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1576U3T106Q 2SA1576U3T106Q Rohm Semiconductor 2sa1774e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R
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2SA1576U3T106Q 2SA1576U3T106Q Rohm Semiconductor 2sa1774e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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Transistor Type: PNP
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Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
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Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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