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2SA1579T106S

2SA1579T106S Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details 2SA1579T106S Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1579T106S 2SA1579T106S Rohm Semiconductor 2sa1514kt146r-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
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2SA1579T106S 2SA1579T106S Rohm Semiconductor 2sa1514kt146r-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
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2SA1579T106S 2SA1579T106S ROHM Semiconductor 2sa1579%2C1514K%2C1038S.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 120V 50MA
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2SA1579T106S 2SA1579T106S Rohm Semiconductor 2sa1579%2C1514K%2C1038S.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
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Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
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