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2SA1699E-PM-AA

2SA1699E-PM-AA Fairchild Semiconductor

ONSMS37392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 400V 0.2A 3-NP
Packaging: Bulk
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: 3-NP
Frequency - Transition: 70MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Technische Details 2SA1699E-PM-AA Fairchild Semiconductor

Description: TRANS PNP 400V 0.2A 3-NP, Packaging: Bulk, Power - Max: 600 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Supplier Device Package: 3-NP, Frequency - Transition: 70MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1699E-PM-AA ONSEMI ONSMS37392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SA1699E-PM-AA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1699E-PM-AA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: FAIRCHILD
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