2SA1770S-AN ON Semiconductor
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Technische Details 2SA1770S-AN ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 160V 1.5A 3NMP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-71, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: 3-NMP, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SA1770S-AN | onsemi |
 Description: TRANS PNP 160V 1.5A 3NMPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NMP Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1 W |
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2SA1770S-AN | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V |
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| 2SA1770S-AN |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 160V 1.5A 3NMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NMP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 160V 1.5A 3NMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-71
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NMP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1.5A 160V
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