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2SA1834TLR

2SA1834TLR Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
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Technische Details 2SA1834TLR Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA1834TLR 2SA1834TLR Rohm Semiconductor 1062sa1834.pdf Trans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
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2SA1834TLR 2SA1834TLR Rohm Semiconductor 2SA1834_Rev2013.pdf Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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2SA1834TLR 2SA1834TLR Rohm Semiconductor 1062sa1834.pdf Trans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
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2SA1834TLR 2SA1834TLR Rohm Semiconductor 2SA1834_Rev2013.pdf Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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2SA1834TLR ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms32744-1.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
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