2SA1837(F,M) Toshiba
Hersteller: Toshiba
TO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Technische Details 2SA1837(F,M) Toshiba
Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 70MHz, Supplier Device Package: TO-220NIS, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote 2SA1837(F,M)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| 2SA1837(F,M) | Hersteller : Toshiba |
Транзистор PNP, Uceo, В = 230, Ic = 1 А, ft, МГц = 70, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Full P Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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2SA1837(F,M) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W |
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2SA1837(F,M) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT PNP - 230V -1A 20W |
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| 2SA1837 (F,M) | Hersteller : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT |
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