2SA1943N(S1,E,S)
Produktcode: 176753
Hersteller: Gehäuse: TO-3P
fT: 30 MHz
U, V: 230 V
U, V: 230 V
I, А: 15 A
auf Bestellung 100 Stück:
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SA1943N(S1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1943N(S1,E,S) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1943N(S1,E,S) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1943N(S1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1943N(S1,E,S) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |