2SA1943N(S1,E,S)
Produktcode: 176753
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Lieblingsprodukt
Hersteller:
Gehäuse: TO-3P
Grenzfrequenz fT, MHz: 30 МГц
Spannung Uce, V: 230 В
Spannung Ucb, V: 230 В
Strom Ic, A: 15 А
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.52 EUR |
| 10+ | 4.97 EUR |
| 100+ | 4.46 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
auf Bestellung 1477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1943N(S1,E,S) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ |
auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1943N(S1,E,S) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 150W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SA1943N(S1,E,S) |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.16 EUR |
| 25+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 3.28 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 2SA1943N(S1,E,S) |
|
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
Bipolar Transistors - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.19 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| 2SA1943N(S1,E,S) |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SA1943N(S1,E,S) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.75 EUR |
| 52+ | 4.55 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |