Technische Details 2SA1972(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1972(TE6,F,M) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SA1972(TE6,F,M) |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR LSTM MOQ=3000 V=400 PD=0.9W F=35MHZ
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