2SA2018E3TL

2SA2018E3TL Rohm Semiconductor


2sa2018e3-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SA2018E3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote 2SA2018E3TL nach Preis ab 0.097 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Hersteller : ROHM Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
24000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Hersteller : ROHM 2sa2018e3-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Hersteller : Rohm Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Hersteller : ROHM 2sa2018e3-e.pdf Description: ROHM - 2SA2018E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA2018E3TL 2SA2018E3TL Hersteller : Rohm Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Description: TRANS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH