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2SA2040-TL-E

2SA2040-TL-E ON Semiconductor

2sa2040-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SA2040-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 290MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2040-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2040-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2040-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : onsemi 2SA2040_D-3538326.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 290MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : ONSEMI en6913-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : ONSEMI en6913-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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2SA2040-TL-E Hersteller : ON Semiconductor en6913-d.pdf Транзистор PNP; Uceo, В = 50; Ic = 8; ft, МГц = 290; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 40 мA, 2 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
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Produktcode: 162467
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 1972en6913-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2040-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SA2040-TL-E Hersteller : ONSEMI en6913-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 330MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2SA2040-TL-E Hersteller : ONSEMI en6913-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Mounting: SMD
Frequency: 330MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
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