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2SA2056(TE85L,F)

2SA2056(TE85L,F) Toshiba

1662sa2056_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R
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Technische Details 2SA2056(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS PNP 50V 2A TSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: TSM, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 625 mW.

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2SA2056(TE85L,F) 2SA2056(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2056_datasheet_en_20131101.pdf?did=20440&prodName=2SA2056 Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
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2SA2056(TE85L,F) Hersteller : TOSHIBA 2SA2056_datasheet_en_20131101.pdf?did=20440&prodName=2SA2056 SOT23/SOT323
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