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2SA2060(TE12L,F)

2SA2060(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=20447&prodName=2SA2060
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PW-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details 2SA2060(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 2A PW-MINI, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: PW-MINI, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA2060(TE12L,F) 2SA2060(TE12L,F) Toshiba 3346444131464446443736353734323542353035384530394242384637314334.pdf Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD=2.5W F=1MHZ
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