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2SA2119KT146

2SA2119KT146 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
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Technische Details 2SA2119KT146 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 200mW, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-346, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA2119KT146 2SA2119KT146 Rohm Semiconductor 2sa2018e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
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2SA2119KT146 2SA2119KT146 ROHM datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5885 Stücke:
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457+0.51 EUR
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935+0.23 EUR
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2SA2119KT146 2SA2119KT146 ROHM datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SA2119KT146 2SA2119KT146 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 3PIN
auf Bestellung 2156 Stücke:
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10+0.55 EUR
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500+0.31 EUR
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3000+0.19 EUR
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2SA2119KT146 2SA2119KT146 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SA2119K&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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32+0.67 EUR
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AnzahlPrivatkunde
575+0.31 EUR
597+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 5636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
526+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
2000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 526 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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595+0.3 EUR
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auf Bestellung 4636 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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378+0.45 EUR
599+0.27 EUR
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1000+0.18 EUR
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2SA2119KT146
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5885 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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457+0.51 EUR
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935+0.23 EUR
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2SA2119KT146
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
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DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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500+0.31 EUR
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Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 260MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.9 EUR
32+0.67 EUR
100+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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