2SA2119KT146 Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SA2119KT146 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SA2119KT146 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SA2119KT146 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
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2SA2119KT146 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R |
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2SA2119KT146 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 3PIN |
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2SA2119KT146 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 200 mW |
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2SA2119KT146 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SA2119KT146 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SA2119KT146 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SA2119KT146 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 270...680 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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2SA2119KT146 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 12V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 200 mW |
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2SA2119KT146 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 270...680 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz |
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