Technische Details 2SA2126-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 390MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SA2126-TL-H nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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2SA2126-TL-H | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 446939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2126-TL-H | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 79800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2126-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 390MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 448033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2126-TL-H | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.8W Case: TO252 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 390MHz |
auf Bestellung 920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA2126-TL-H | onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA2126-TL-H | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SA2126-TL-H |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 446939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1283+ | 0.51 EUR |
| 10000+ | 0.45 EUR |
| 100000+ | 0.37 EUR |
| 2SA2126-TL-H |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1283+ | 0.51 EUR |
| 10000+ | 0.45 EUR |
| 2SA2126-TL-H |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 448033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 700+ | 0.64 EUR |
| 2SA2126-TL-H |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
auf Bestellung 920 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 90+ | 0.95 EUR |
| 184+ | 0.46 EUR |
| 209+ | 0.4 EUR |
| 232+ | 0.37 EUR |
| 700+ | 0.35 EUR |
| 2SA2126-TL-H |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.26 EUR |
| 2SA2126-TL-H |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
auf Bestellung 2025 Stücke:
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