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Technische Details 2SA2169-TL-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, DC-Stromverstärkung hFE: 200, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 130, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SA2169-TL-E | onsemi |
 Description: TRANS PNP 50V 10A TP-FAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 950 mW |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2SA2169-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 130 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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2SA2169-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Verlustleistung: 20 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SA2169-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SA2169-TL-E |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
Description: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
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| 2SA2169-TL-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| 2SA2169-TL-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 20
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 20
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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| 2SA2169-TL-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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