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2SA2195,LF

2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=22652&prodName=2SA2195 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 1.7A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details 2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 1.7A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA2195,LF 2SA2195,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22652&prodName=2SA2195 Description: TRANS PNP 50V 1.7A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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2SA2195,LF 2SA2195,LF Hersteller : Toshiba 2SA2195_datasheet_en_20140301-1628517.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP 3SMD 50V
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