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2SA2202-TD-E

2SA2202-TD-E onsemi

2sa2202-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SA2202-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E onsemi 2sa2202-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
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2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E ONSEMI ONSMS37959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E ONSEMI ONSMS37959-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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2SA2202-TD-E ON Semiconductor 2sa2202-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA2202-TD-E ON Semiconductor 2sa2202-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA2202-TD-E onsemi 2sa2202-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
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2SA2202-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
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2SA2202-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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2SA2202-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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326+0.43 EUR
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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AnzahlPreis
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204+0.71 EUR
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Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
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500+0.43 EUR
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Hersteller: ONN
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