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2SA2202-TD-E

2SA2202-TD-E onsemi

2sa2202-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SA2202-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 3.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E onsemi 2sa2202-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
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2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E ONSEMI 2sa2202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3611 Stücke:
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2SA2202-TD-E 2SA2202-TD-E ONSEMI 2sa2202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SA2202-TD-E ON Semiconductor 2sa2202-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA2202-TD-E ON Semiconductor 2sa2202-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA2202-TD-E onsemi 2sa2202-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
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2SA2202-TD-E
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 2A PCP
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
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2SA2202-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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2SA2202-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3611 Stücke:
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219+1.06 EUR
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2685 Stücke:
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475+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 475 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 15263 Stücke:
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1648+0.4 EUR
10000+0.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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399+0.43 EUR
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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278+0.63 EUR
326+0.52 EUR
338+0.49 EUR
392+0.4 EUR
399+0.38 EUR
568+0.25 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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293+0.6 EUR
500+0.45 EUR
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1980 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
136+1.3 EUR
205+0.83 EUR
293+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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205+0.83 EUR
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Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V
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