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2SA673BTZ-E Renesas


Hersteller: Renesas
Trans GP BJT PNP 35V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R
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Technische Details 2SA673BTZ-E Renesas

Description: 2SA673 - Bipolar Power Transisto, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SA673BTZ-E Renesas Description: 2SA673 - Bipolar Power Transisto
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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2SA673BTZ-E
Hersteller: Renesas
Description: 2SA673 - Bipolar Power Transisto
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 15mA, 150mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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