2SA812-M6-TP

2SA812-M6-TP Micro Commercial Components (MCC)


2SA812_SOT_23_-3079266.pdf Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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Technische Details 2SA812-M6-TP Micro Commercial Components (MCC)

Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA812-M6-TP 2SA812-M6-TP Hersteller : Micro Commercial Components 2sa812sot-23.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2SA812-M6-TP 2SA812-M6-TP Hersteller : Micro Commercial Components 2sa812sot-23.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2SA812-M6-TP 2SA812-M6-TP Hersteller : MCC (Micro Commercial Components) 2SA812(SOT-23).pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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