2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SAR372P5T100Q nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SAR372P5T100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SAR372P5T100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SAR372P5T100Q | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor. 2SAR372P5 is middle power transistor for low frequency amplifier. |
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2SAR372P5T100Q | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SAR372P5T100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
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2SAR372P5T100Q | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SAR372P5T100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
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