Technische Details 2SAR372P5T100Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR372P5T100Q nach Preis ab 0.4 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR372P5T100Q | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor |
auf Bestellung 706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SAR372P5T100Q | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SAR372P5T100Q | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 71 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SAR372P5T100Q | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 295 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 0.8 EUR |
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 1.06 EUR |
| 257+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 102+ | 1.73 EUR |
| 166+ | 1.02 EUR |
| 257+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor
Bipolar Transistors - BJT PNP -0.7A -120V Middle Power Transistor
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2000+ | 0.45 EUR |
| 5000+ | 0.4 EUR |
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SAR372P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SAR372P5T100Q |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 120V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)