2SAR375P5T100Q ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -1.5A -120V Middle Power Transistor. 2SAR375P5 is middle power transistor for low frequency amplifier.
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SAR375P5T100Q ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1.5A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR375P5T100Q nach Preis ab 0.72 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR375P5T100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
2SAR375P5T100Q | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
2SAR375P5T100Q | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1.5A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
|
2SAR375P5T100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 120V 1.5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |