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2SAR502E3HZGTL

2SAR502E3HZGTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details 2SAR502E3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR502E3HZGTL 2SAR502E3HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor
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2SAR502E3HZGTL 2SAR502E3HZGTL ROHM datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
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484+0.48 EUR
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2SAR502E3HZGTL 2SAR502E3HZGTL ROHM datasheet?p=2SAR502E3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -30V -500mA, General Purpose Amplification Transistor
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2SAR502E3HZGTL
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Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Description: ROHM - 2SAR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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