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2SAR502E3TL

2SAR502E3TL Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SAR502E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
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Technische Details 2SAR502E3TL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR502E3TL 2SAR502E3TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR502E3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -30V -0.5A, General Purpose Transistor
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11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.099 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SAR502E3TL 2SAR502E3TL Rohm Semiconductor 2sar502e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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2SAR502E3TL 2SAR502E3TL Rohm Semiconductor 2sar502e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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2SAR502E3TL 2SAR502E3TL Rohm Semiconductor 2sar502e3-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 520MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 95 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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2SAR502E3TL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: PNP
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Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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Description: ROHM - 2SAR502E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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