2SAR502U3T106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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Technische Details 2SAR502U3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 520MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SAR502U3T106 nach Preis ab 0.081 EUR bis 0.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SAR502U3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 520MHz Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW |
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2SAR502U3T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -0.5A Ic -30V UMT3 |
auf Bestellung 43800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR502U3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 520MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SAR502U3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 520MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |