2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SAR512P5T100 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SAR512P5T100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 430MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR512P5T100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3 |
auf Bestellung 3120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR512P5T100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SAR512P5T100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SAR512P5T100 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
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Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 0.86 EUR |
| 29+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 2SAR512P5T100 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.2 EUR |
| 10+ | 0.75 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 2000+ | 0.3 EUR |
| 5000+ | 0.25 EUR |
| 2SAR512P5T100 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SAR512P5T100 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
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MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 430MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)