2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 430MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SAR512P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SAR512P5T100 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2SAR512P5T100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3 |
auf Bestellung 3332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR512P5T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 430MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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2SAR512P5T100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR512P5T100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |