2SAR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SAR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SAR514PHZGT100 nach Preis ab 0.34 EUR bis 0.93 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SAR514PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SAR514PHZGT100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-89, -80V -0.7A, Medium Power Transistor for Automotive |
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2SAR514PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
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2SAR514PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SAR514PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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2SAR514PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.7A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
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