2SAR522EBTL Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SAR522EBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: -, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 200mA, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR522EBTL nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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2SAR522EBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
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2SAR522EBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
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2SAR522EBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2SAR522EBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 200mA Übergangsfrequenz: 350MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2SAR522EBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 350MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
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2SAR522EBTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor |
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