2SAR522EBTL Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SAR522EBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: -, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 200, Übergangsfrequenz: 350, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote 2SAR522EBTL nach Preis ab 0.096 EUR bis 0.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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2SAR522EBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R |
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2SAR522EBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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2SAR522EBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: - hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: - Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 200 Übergangsfrequenz: 350 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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2SAR522EBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F |
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2SAR522EBTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F |
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2SAR522EBTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor |
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