2SAR522UBTL Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 200mW 3-Pin UMTF T/R
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Technische Details 2SAR522UBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR522UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR522UBTL 2SAR522UBTL Rohm Semiconductor 2sar522mt2l-e.pdf Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 200mW 3-Pin UMTF T/R
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2SAR522UBTL 2SAR522UBTL ROHM Semiconductor 2sar522mt2l-e.pdf Bipolar Transistors - BJT GP Amplification Trans
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Verlustleistung: 200mW
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Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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