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2SAR523EBTL

2SAR523EBTL Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
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Technische Details 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 120, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR523EBTL 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor 2sar523ebtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
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2SAR523EBTL 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor 2sar523ebtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin EMTF T/R
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2SAR523EBTL 2SAR523EBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
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108+0.19 EUR
176+0.12 EUR
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2SAR523EBTL 2SAR523EBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
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100+0.11 EUR
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9000+0.05 EUR
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2SAR523EBTL 2SAR523EBTL ROHM 2706660.pdf Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2SAR523EBTL 2SAR523EBTL ROHM 2706660.pdf Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Description: TRANS PNP 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
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Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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