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2SAR533PHZGT100

2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor

2sar533phzgt100-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 50 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 180 hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote 2SAR533PHZGT100 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor 2sar533phzgt100-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor 2sar533phzgt100-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor 2sar533phzgt100-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR533PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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11+2.07 EUR
17+1.29 EUR
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2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR533PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT SOT-89 PNP 50V 3A MID-PWR
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2+2.2 EUR
10+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.5 EUR
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
150+1.55 EUR
228+0.94 EUR
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2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 ROHM datasheet?p=2SAR533PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 50 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 180 hFE
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Verlustleistung Pd: 2W
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SAR533PHZGT100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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Bipolar Transistors - BJT SOT-89 PNP 50V 3A MID-PWR
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2SAR533PHZGT100
Hersteller: ROHM
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 618 Stücke:
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150+1.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 50 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 180 hFE
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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DC-Kollektorstrom: 3A
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 618 Stücke:
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100+2.7 EUR
150+1.55 EUR
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