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2SAR533PHZGT100

2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 50 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 180 hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor 2sar533phzgt100-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 Rohm Semiconductor 2sar533phzgt100-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SAR533PHZGT100 2SAR533PHZGT100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR533PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT SOT-89 PNP 50V 3A MID-PWR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SAR533PHZGT100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, PNP, 50V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 180hFE
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Verlustleistung: 2W
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Bauform - Transistor: SOT-89
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR533PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 50 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 180 hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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