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2SAR542F3TR

2SAR542F3TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SAR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
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Technische Details 2SAR542F3TR Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 240MHz, Supplier Device Package: HUML2020L3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 2.1 W.

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2SAR542F3TR 2SAR542F3TR Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar542f3tr-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUML EP T/R
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2SAR542F3TR 2SAR542F3TR Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar542f3tr-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 3A 3-Pin HUML EP T/R
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2SAR542F3TR 2SAR542F3TR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT 4.5-5.5V 1ch Nch FET LDO Controllers
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2SAR542F3TR 2SAR542F3TR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
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2SAR542F3TR Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SAR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key 2SAR542F3TR PNP SMD transistors
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