Technische Details 2SAR564F3TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 2.1W, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 4A, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SAR564F3TR nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR564F3TR | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 4A MID-PWR |
auf Bestellung 5103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR564F3TR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR564F3TR | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR564F3TR | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 2.1W Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 4A Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SAR564F3TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 94+ | 1.89 EUR |
| 2SAR564F3TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
Trans GP BJT PNP 80V 4A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 182+ | 2.53 EUR |
| 2SAR564F3TR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 4A MID-PWR
Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 4A MID-PWR
auf Bestellung 5103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.75 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 3000+ | 0.82 EUR |
| 2SAR564F3TR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: HUML2020L3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.78 EUR |
| 12+ | 1.75 EUR |
| 100+ | 1.17 EUR |
| 2SAR564F3TR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 76+ | 3.3 EUR |
| 122+ | 1.9 EUR |
| 184+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2SAR564F3TR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.1W
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 2.1W
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 220MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.3 EUR |
| 122+ | 1.9 EUR |
| 184+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |