2SAR564F3TR ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, PNP -4A -80V Middle Power Transistor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.35 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.70 EUR |
| 3000+ | 0.62 EUR |
| 6000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details 2SAR564F3TR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 4A, Übergangsfrequenz: 220MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR564F3TR nach Preis ab 0.66 EUR bis 2.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2SAR564F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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2SAR564F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2SAR564F3TR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.1W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4A Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2SAR564F3TR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 4A HUML2020L3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: HUML2020L3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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