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2SAR572D3TL1

2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SAR572D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details 2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 10W, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 5A, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR572D3TL1 2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar572d3tl1-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1609 Stücke:
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169+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 6583 Stücke:
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9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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2SAR572D3TL1 2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar572d3tl1-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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73+2.42 EUR
116+1.51 EUR
274+0.62 EUR
276+0.61 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
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2SAR572D3TL1 2SAR572D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR572D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
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2+2.53 EUR
10+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.6 EUR
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2SAR572D3TL1 2SAR572D3TL1 ROHM datasheet?p=2SAR572D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+3.72 EUR
132+1.76 EUR
197+1.08 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.74 EUR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SAR572D3TL1 2sar572d3tl1-e.pdf
2SAR572D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SAR572D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
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Supplier Device Package: TO-252
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Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
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Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
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10+1.59 EUR
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Hersteller: ROHM
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auf Bestellung 1475 Stücke:
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