2SAR574D3FRATL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SAR574D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
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Technische Details 2SAR574D3FRATL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 10W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SAR574D3FRATL nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2SAR574D3FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
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2SAR574D3FRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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2SAR574D3FRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 10W euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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| 2SAR574D3FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SAR574D3FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 2A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
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