2SAR579D3FRATLQ Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 1.28 EUR |
| 20+ | 0.91 EUR |
| 25+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 250+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details 2SAR579D3FRATLQ Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 67MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2SAR579D3FRATLQ nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SAR579D3FRATLQ | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive. |
auf Bestellung 2283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR579D3FRATLQ | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 67MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR579D3FRATLQ | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SAR579D3FRATLQ | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SAR579D3FRATLQ | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 67MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 |
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