2SAR579D3TLQ Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 1.52 EUR |
| 20+ | 1.08 EUR |
| 25+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| 250+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
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Technische Details 2SAR579D3TLQ Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 10W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 67MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 2SAR579D3TLQ nach Preis ab 0.68 EUR bis 3.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SAR579D3TLQ | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. |
auf Bestellung 2478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SAR579D3TLQ |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.5 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2500+ | 0.76 EUR |
| 5000+ | 0.68 EUR |
| 2SAR579D3TLQ |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)