2SAR582D3FRATL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -10V -30A, Power Transistor for Automotive
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -10V -30A, Power Transistor for Automotive
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.56 EUR |
| 10+ | 1.28 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2500+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details 2SAR582D3FRATL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 10A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SAR582D3FRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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