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2SAR582D3TL1

2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor

2sar582d3tl-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V, Frequency - Transition: 230MHz, Supplier Device Package: TO-252, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 10 W.

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2SAR582D3TL1 2SAR582D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar582d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SAR582D3TL1 2SAR582D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
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2SAR582D3TL1 2SAR582D3TL1 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR
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2SAR582D3TL1 2SAR582D3TL1 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
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