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2SAR583D3FRATL

2SAR583D3FRATL ROHM

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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details 2SAR583D3FRATL ROHM

Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR583D3FRATL 2SAR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2sar583d3fratle.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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2SAR583D3FRATL 2SAR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2sar583d3fratl-e.pdf Description: PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, PO
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2SAR583D3FRATL 2SAR583D3FRATL ROHM Semiconductor 2sar583d3fratl-e.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A PWR TRANS
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