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2SAR586D3FRATL

2SAR586D3FRATL ROHM

datasheet?p=2SAR586D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR586D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4922 Stücke:
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Technische Details 2SAR586D3FRATL ROHM

Description: ROHM - 2SAR586D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SAR586D3FRATL 2SAR586D3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR586D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS BJT PNP TO-252
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2SAR586D3FRATL 2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR586D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 80V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 894 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR586D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.34 EUR
100+2.2 EUR
250+2.07 EUR
500+1.95 EUR
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2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR586D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS BJT PNP TO-252
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Description: TRANS PNP 80V 5A TO252
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
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2SAR586D3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SAR586D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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