2SAR642PHZGT100 ROHM Semiconductor
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Technische Details 2SAR642PHZGT100 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 240MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR642PHZGT100 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SOT89.jpg "2SAR642PHZGT100") |
2SAR642PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 30V 3A SOT89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 240MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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2SAR642PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, PNP, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SAR642PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SAR642PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 240MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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