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2SARA41CHZGT116R

2SARA41CHZGT116R ROHM Semiconductor

2sa1579u3t106r-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT High-voltage Amplifier Transistor (-120V, -50mA) (AEC-Q101 Qualified)
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Technische Details 2SARA41CHZGT116R ROHM Semiconductor

Description: TRANS PNP 120V 0.05A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 200 mW.

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2SARA41CHZGT116R 2SARA41CHZGT116R Hersteller : Rohm Semiconductor 2sa1579u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.05A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
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2SARA41CHZGT116R Hersteller : Rohm Semiconductor 2sa1579u3t106r-e.pdf Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2SARA41CHZGT116R 2SARA41CHZGT116R Hersteller : Rohm Semiconductor 2sa1579u3t106r-e.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.05A SST3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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