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2SB1001BJTR-E

2SB1001BJTR-E Renesas Electronics Corporation

RNCCS01555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 16V 2A UPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: UPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16 V
Power - Max: 1 W
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Technische Details 2SB1001BJTR-E Renesas Electronics Corporation

Description: TRANS PNP 16V 2A UPAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: UPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1001BJTR-E Renesas RNCCS01555-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 16V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R
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