2SB1121S-TD-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 1.24 EUR |
| 20+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
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Technische Details 2SB1121S-TD-E onsemi
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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2SB1121S-TD-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SB1121S-TD-E | SANYO |
08+ SOT-89 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SB1121S-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
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Hersteller: SANYO
08+ SOT-89
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)