2SB1121S-TD-E ON Semiconductor
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Technische Details 2SB1121S-TD-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2SB1121S-TD-E nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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2SB1121S-TD-E | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1121S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1121S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1121S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1121S-TD-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SB1121S-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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| 2SB1121S-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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| 2SB1121S-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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| 1710+ | 0.39 EUR |
| 2SB1121S-TD-E |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 17+ | 1.24 EUR |
| 20+ | 1.05 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 2SB1121S-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
auf Bestellung 1990 Stücke:
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