Produkte > ONSEMI > 2SB1121S-TD-E
2SB1121S-TD-E

2SB1121S-TD-E onsemi


en1787b-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.04 EUR
20+0.88 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SB1121S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 25V 2A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote 2SB1121S-TD-E

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor EN1787B-D-1803568.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SB1121S-TD-E Hersteller : SANYO en1787b-d.pdf 08+ SOT-89
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH