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2SB1123S-TD-E

2SB1123S-TD-E onsemi

en1727-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SB1123S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SB1123S-TD-E onsemi en1727-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
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2SB1123S-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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